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MÓDULOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS SCHOTTKY DIODE GEN 2

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MÓDULO IGBT IXGN72N60C3H1

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MODULO TIRISTOR SEMICONDUTOR TENSION DE PICO INVERSO 1600 V CORRIENTE ELECTRICA 320 A CORRIENTE DE IGNICION 150 MA AVERAGE FORWARD CURRENT I(T)(A V) 320 A CURRENT I(H) 150 MA

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