
INFINEON TECHNOLOGIES
D1331SH45T Em stock
DÍODO
MÓDULO IGBT
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| Fabricante | INFINEON TECHNOLOGIES |
|---|---|
| Referência | FZ1200R16KF4 |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
|---|---|
| Topology | IGBT half-bridge |
| Case | A-IHM130-2 |
|---|---|
| Electrical mounting | screw |
| Mechanical mounting | screw |
| DC-collector current (IC) | 1200 A |
|---|---|
| Repetitive peak collector current (ICRM) | 2400 A |
| Gate-emitter peak voltage (VGE) | ± 20 V |
| Diode DC forward current (IF) | 1200 A |
| Diode repetitive peak forw. current (IFRM) | 2400 A |
| Junction temperature (tvj max) | 150 °C |
|---|
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